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VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

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Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con As), R: 0,088-0,183ohm.cm

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Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con As), R: 0,173-0,25 ohm.cm

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Wafer VGF-Ge (100) con errore di taglio di 6 gradi verso <111> , diametro 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), R: 0,3-0,33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US

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Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga)

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Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

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Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

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Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

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VGF-Ge Wafer(100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

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VGF-Ge Wafer(100) 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

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Wafer VGF-Ge(100), diametro 100 mm x 0,4 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga), R:0,0038-0,0158 Ohm.cm

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VGF-InAs (111)A, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp

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VGF-InAs (111)B, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp

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Sistema di setacciatura a vibrazione con tre setacci (100, 200, 450 maglie) - MSKSYU3N

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W - Foglio metallico policristallino di tungsteno: 125 larghezza x 200 lunghezza x 0,1 mm di spessore - MF-W-Foil-200L

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W Substrato policristallino: 10 x 10 x 0,5 mm, due lati lucidati

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W Substrato policristallino: 10 x 10 x 0,5 mm, un lato lucido