MTI  |  SKU: GASia50D05C1US5

VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita:  VGF
  • Orientamento: (100)
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Doping: Drogato con Si
  • Tipo di conduttore: Tipo N
  • Concentrazione dei portatori: (0,63 - 1,33) x 10^18 /cm^3
  • Mobilità: (2170 - 2920) cm^2/V.S
  • Resistività: (2,12 - 3,55) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 5000cm^2
  • Ra (ruvidità media): < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI 

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