ALD/CVD/PVD

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1200C max. Forno tubolare PECVD con 4 canali di erogazione del gas e pompa del vuoto - OTF-1200X-PEC4LV

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Forno tubolare PECVD a due zone da 1200 C max (50 mm OD) con preriscaldatore e scorrimento automatico - OTF-1200X-II-50-PEMSL

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Forno a doppio tubo scorrevole 1200C con 2 tubi e flange per PECVD - OTF1200XSDFPESL

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Forno rotativo PECVD 1100C con pompa a vuoto - OTF-1200X-S-II-PECVD

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Forno rotativo PE-HPCVD 1100C con evaporatore in situ, MFC a 4 canali e pompa per vuoto - OTF-1200X-S-II-PEC4

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Generatore RF a 13,56 MHz da 300 W per forno a tubo da 50, 80 o 125 mm di diametro esterno - OTF-PECVD-RF

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Forno CVD MIST a 1200°C per la crescita di cristalli - OTF-1200X-Mist

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Sistema di forni tubolari ALD a due canali da 4" fino a 1200C - ALD-1200X-4

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Sistema PECVD per piccoli lotti (12 pezzi da 6" Wafer) (tipo CCP) per test pilota - PECVD-8-16

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Sistema di forni tubolari ALD a polvere di rotazione da 4" fino a 1200C - ALD-1200X-R-4

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Sistema PE-CVD roll to roll per la crescita continua di film su filo o foglio - OTF-1200X-II-PE-RR

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Mini forno tubolare CVD con miscelatore di gas a 2 canali, pompa del vuoto e vacuometro - OTF-1200X-S50-2F

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Forno tubolare HPCVD a tre zone da 5" D a 1200 C con sistema di alimentazione della sorgente sequenziale e di co-deposizione fino a 3 crogioli - OTF-1200X-III-HPCVD-S3

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Forno tubolare a cristallizzazione diretta orizzontale (HDC), 1100C max. - OTF-1200X-50-DSL

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1650 Forno di ossidazione-corrosione a vapore GSL-1700X-80CVD

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1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD fino a 6" Wafer - MIST-1600-6

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1600°C Max. Forno MIST CVD per la crescita continua di nanotubi di carbonio - GSL-1600X-CFM

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1200C Max. Forno a ultrasuoni per pirolisi spray a 3 zone per la sintesi di nano particelle - OTF-1200X-III-PGEP

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1200C max. Forno PECVD a doppia zona scorrevole con erogazione del gas e pompa del vuoto - OTF-1200X-II-PEC4SL-LD

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1200C max. Forno CVD potenziato al plasma a microonde (MPECVD) con tubo al quarzo da 1'-2'' - OTF-1200X-S-MPECVD