Substrato di cristallo A-Z

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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,3 mm, 2SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm

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Wafer Ge (100) non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, resistività: >50 ohm-cm - GEUa50D05C1R50US

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Forno a idrogeno a 6 canali ad alta pulizia a 1200 C max per ricottura ad alta produttività - GSL-1200X-MGI-6-H2

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NaPF6 1,0 M in EC:DMC:EMC=1:1:1 con 1,0%FEC come elettrolita per batterie agli ioni di sodio, flacone da 100 g, SBE-EDE111FEC

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Cristallo alfa-Fe2O3 (11-20) <0,4deg, orientato ai bordi, 5x5x0,5mm, 1SP

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Cristallo alfa-Fe2O3 (0001) <0,4deg, orientato ai bordi, 5x5x0,5mm, 1SP

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Template AlN su zaffiro (0001) 4" x 0,5 mm, un lato lucidato, film AlN: 1000nm - FmAlNonALc101D05C1FT1000US

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Template AlN su zaffiro(0001) 2 "x 0,5 mm, due lati lucidati, film AlN: 1000nm

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Template AlN su zaffiro (0001) 2 "x 0,5 mm, un lato lucidato, film AlN: 1000nm - FmAlNonALc50D05C1FT1000US

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Substrato ceramico AlN 2 "x2 "x0,254 mm, come lappato, CmAlN50500254SN

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Template AlN su zaffiro(0001) 4 "x 0,5mm, un lato lucidato, film AlN: 5000nm - FmAlNonALc101D05C1FT5000US

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Template AlN su zaffiro (0001) 2 "x 0,5mm, un lato lucidato, film AlN: 5000nm - FmAlNonALc50D05C1FT5000US5

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Templato AlN su 4" di silicio (Si <111>tipo P, drogato B) 4 "x 500 nm - FmAlNonSiBc101D05C1FT500nmUS

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Substrato ceramico AlN 114,3 mm x 114,3 mm x 0,5 mm, lappato su entrambi i lati - CmAlN11411405SN

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Substrato ceramico AlN 10x10x 0,5 mm, 1SP - CmAlN101005S1

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Substrato ceramico AlN 1 "x1 "x 0,635 mm, rettifica fine

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Substrato ceramico AlN 1 "x1 "x 0,5mm, 1SP - CmAlN252505S1

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Cristallo di LiNbO3 drogato con 0,07% di Fe, taglio a Z, 10x10 x0,5 mm, 2sp

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Cristallo di LiNbO3 drogato allo 0,05% di Fe, taglio a Z, 5x5 x0,5 mm, 2sp

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Cristallo di LiNbO3 drogato allo 0,05% di Fe, taglio a Z, 10x10 x0,5 mm, 2sp