Caricamento...
MTI | SKU:
GAZna101006S1US
Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp
€106,88
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp
€106,88
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp
MTI
Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 10x10x0,625 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Zn drogato
Tipo di conduttore: Tipo P
Concentrazione del portatore: (1,3-2,2) x 10^19 /cm^3
Mobilità: 64-75 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
resistività: (4,5-6,7)x10^-3 ohm.cmMetodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 10x10x0,625 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Zn drogato
Tipo di conduttore: Tipo P
Concentrazione del portatore: (1,3-2,2) x 10^19 /cm^3
Mobilità: 64-75 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
Prodotti correlati
Altro GaAs |
InSb
|
Altro InAs
|
InP |
GaSb
|
Scatola per wafer
|
Rivestitore di film
|
Forni RTP |
