Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con As), R: 0,173-0,25 ohm.cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: VGF
• Orientamento: (100) +/-0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: 100 mm di diametro x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
• Rugosità superficiale:   RMS o Ra: ~ 10 A (da AFM)
• Doping: Drogato As
• Tipo di conduttore: Tipo N
  
• Resistività: 0,173-0,25 ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Concentrazione del vettore: 0,09x10^17 -1,63x10^17/c.c
• Mobilità: 1660-2940 cm^2.v.s
• EPD: < 500 /cm^2
• Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
• Pacchetto: sotto la classe 1000 camera bianca
  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640