Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: VGF
• Orientamento: (100) +/-0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: 50(+/_0,3) mm di diametro x 175(+/_15) micron 
• Lucidatura superficiale: un lato lucidato
• Rugosità superficiale:   RMS o Ra: ~ 10 A (da AFM)
• Doping: Drogato Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,008-0,02 Ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Concentrazione del vettore: N/A
• Mobilità: N/A
• EPD:   <=500 /cm^2
• Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
• Pacchetto: sotto la classe 1000 camera bianca  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
•  Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640