VGF-Ge Wafer(100) 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: VGF
• Orientamento: (100) +/-0,4 gradi.
• Dimensioni del wafer: 100 mm di diametro x 500 micron 
• Lucidatura superficiale: due lati lucidati
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,128-0,303Ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Concentrazione del vettore: (1,07-2,89) x10^16 /c.c
• Mobilità: 1690-2070 cm^2/Vs
• EPD: <500 /cm
• Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm  
• Pacchetto: sotto la classe 1000 camera bianca

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
•  Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640