Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: VGF
• Orientamento: (100) +/-0,5 Deg.
• Dimensione del wafer:  100(+/_0,4) mm di diametro x 175(+/_25) micron
  
• Lucidatura superficiale: entrambi i lati lucidati
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,51-0,182 ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Concentrazione del vettore: (0,188-1,13) x10^17
  
• Mobilità: 1100-1830 cm^2/v.s.
  
• EPD:   <=500 /cm^2 
• Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
• Pacchetto: sotto la classe 1000 camera bianca  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
•  Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640