Film sottili dalla A alla Z

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Film di nitruro di silicio da 1000 nm (LPCVD) su Si(100), tipo P, drogato B, diametro 100 mm x0,525 mm, spessore 1sp, R:1-20 ohm.cm

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300 nmFilm di nitruro di silicio (LPCVD) su Si(100), tipo N, drogato P, diametro 100 mm x0,525 mm, 1sp, R:1-20 ohm.cm - FmSi3N4onSiPa100D0525C1FT300

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Film sottile SiO2+Ti+Pt (111) su substrato di Si, 5x5x0,525mm, 1sp, tipo P, drogato B, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm)

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Film di Pt+Ti su wafer di zaffiro, 3" x 0,5 mm, Pt-100nm + Ti-100nm

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Film di Pt+Ti su wafer di zaffiro, 10x10x0,5, Pt-100nm+Ti-100nm

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Film di Pt (100nm) su wafer di zaffiro, 3 "x0,5mm, <0001>

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Film di nitruro di silicio da 100 nm (PE-CVD) su Si(100) di tipo P, drogato B, diametro 100 mm x 0,525 mm, spessore 1sp, R: 0,001-0,005 ohm.cm - FmSi3N4onSiBa100D0525C1FT100

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Forno a idrogeno a 6 canali ad alta pulizia a 1200 C max per ricottura ad alta produttività - GSL-1200X-MGI-6-H2

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Film di YBCO da 100 nm su Nb: SrTiO3 (100) 10x10x0,5 mm, 1sp in peso 0,7%.

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NaPF6 1,0 M in EC:DMC:EMC=1:1:1 con 1,0%FEC come elettrolita per batterie agli ioni di sodio, flacone da 100 g, SBE-EDE111FEC

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Template AlN su zaffiro (0001) 4" x 0,5 mm, un lato lucidato, film AlN: 1000nm - FmAlNonALc101D05C1FT1000US

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Template AlN su zaffiro(0001) 2 "x 0,5 mm, due lati lucidati, film AlN: 1000nm

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Template AlN su zaffiro (0001) 2 "x 0,5 mm, un lato lucidato, film AlN: 1000nm - FmAlNonALc50D05C1FT1000US

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Substrato ceramico AlN 2 "x2 "x0,254 mm, come lappato, CmAlN50500254SN

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Template AlN su zaffiro(0001) 4 "x 0,5mm, un lato lucidato, film AlN: 5000nm - FmAlNonALc101D05C1FT5000US

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Template AlN su zaffiro (0001) 2 "x 0,5mm, un lato lucidato, film AlN: 5000nm - FmAlNonALc50D05C1FT5000US5

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Templato AlN su 4" di silicio (Si <111>tipo P, drogato B) 4 "x 500 nm - FmAlNonSiBc101D05C1FT500nmUS

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Substrato ceramico AlN 114,3 mm x 114,3 mm x 0,5 mm, lappato su entrambi i lati - CmAlN11411405SN

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Substrato ceramico AlN 10x10x 0,5 mm, 1SP - CmAlN101005S1

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Substrato ceramico AlN 1 "x1 "x 0,635 mm, rettifica fine