MTI | SKU: GASia050505S1US

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

Name: Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp
Brand: MTI
SKU: GASia050505S1US
Price: 66.29 EUR
Availability: InStock

€66,29

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

MTI

Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensione: 5x5x0.5mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Si drogato
Tipo di conduttore: S-C-N
Concentrazione del vettore: (7,2-11,7) x 10^17 /cm^3
Mobilità: 2170-2650 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2

resistività: (2,56-3,55)x10^-3 ohm.cm
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

Prodotti correlati

Altro GaAs