VGF-Ge Wafer(100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: VGF
• Orientamento: (100) +/-0,4 gradi.
• Dimensioni del wafer: 100 mm di diametro x 500 micron 
• Lucidatura superficiale: un lato lucidato
• Doping: Ga drogato
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,128-0,327 Ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Concentrazione del vettore: (0,98-10,0) x10^16 /c.c
• Mobilità: 897-2070 cm^2/Vs
• EPD:   <500 /cm^2
• Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
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  Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
•  Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640