Substrato di cristallo A-Z

MTI

SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,33 mm, due lati lucidati - SC4Hz50D033C2US

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SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 4H (0001), 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1

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SiC - 4H (0001), diametro 1" x0,26 mm, un lato lucidato - SC4Hz25D026C1US

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Wafer Si (111) con 4 gradi di disattivazione, diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (111)4 +/- 0,5 gradi off, 4" dia x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,001 -0,005 ohm-cm

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Wafer Si (111), grado Prime, diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm - SiAsc101D05C1R0001

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Wafer Si (111), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 5-10 ohm-cm, 25pz/confezione

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Wafer di Si (111), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 5" x 0,625 mm, 1SP tipo P (drogato B), R:1-10 ohm-cm - SIBc125D0625C1R1US

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Wafer Si (111), diametro 4 "x 0,5-0,525 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 4 "x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>5000 ohm-cm)

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,45 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 0,4-0,6ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R1000

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>10.000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R10000

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,4 mm, 1SP, tipo N, non drogato, FZ, R>5000 ohm-cm

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Wafer di Si (111), diametro 4" x 0,3 mm, drogato N tipo P, 1SP, resistività: 15.000 - 25.000 ohm-cm

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Wafer Si (111), 3" dia x 0,5 mm, 2sp, tipo N, non drogato, resistività: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C2R1000

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Wafer Si (111), diametro 3" x 0,5 mm, 1sp, tipo N, non drogato, resistività: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C1R1000

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ non drogato, R> 1000 ohm-cm