MTI | SKU:
SIUc101D4C1R5000
Wafer Si (111), diametro 4" x 0,4 mm, 1SP, tipo N, non drogato, FZ, R>5000 ohm-cm
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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,4 mm, 1SP, tipo N, non drogato, FZ, R>5000 ohm-cm
MTI
- Cristallo singolo Si
- Conduttività: Tipo N (non drogato)
- Resistività: >5000 ohm-CM
- Dimensioni: 4" di diametro x 0,4 mm
- Orientamento: (111)
- Lucidatura: Un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).