Substrato di cristallo A-Z

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 5mmx 5mmx0,46 mm, 2sp, film: spessore 1,0um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 5mmx 5mmx0,46 mm, 2sp, film: 0,6um di spessore

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10mmx 10mmx0,46mm, 2sp, film: spessore 1,0 um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10mmx 10mmx0,46mm, 2sp, film: spessore 0,6 um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: spessore 1,0 um,

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: 0,6 um di spessore,

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: 0,5 um di spessore,

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 1sp, film: 1,0 um di spessore

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 1sp, film: spessore 0,6 um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 1sp, film: 0,5 um di spessore

MTI

Film SiC-3C di tipo N su wafer di silicio (111), film: 1,0um Spessore del substrato: 10x10x1,0 mm

MTI

Elemento riscaldante SiC per forno a muffola KSL-1400A4 - KSL-1400A4-HEL

MTI

SiC - 6H (0001), 5x5x0,33 mm, 2 SP

MTI

SiC - 6H (0001), 10x10x0,26 mm, due lati lucidati

MTI

SiC - 6H (0001), 1/4 "x1/4 "x0,26 mm, due lati lucidati

MTI

SiC - 6H (0001) diametro 8 mm x spessore 0,3 mm, un lato lucidato

MTI

SiC - 4H in asse <0001>+/- 0,5 gradi Diametro 4" x0,35 mm di spessore. Semi-isolante lucidato su due lati (lato Si lucidato con EPI)-1

MTI

SiC - 4H (0001)con 4 gradi di orientamento <11-20> /<10-10>, 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

MTI

SiC - 4H (0001), 5x5x0,33 mm, due lati lucidati

MTI

SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm, un lato lucidato