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SIBc125D0625C1R1US
Wafer Si (111), diametro 5" x 0,625 mm, 1SP tipo P (drogato B), R:1-10 ohm-cm - SIBc125D0625C1R1US
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Wafer Si (111), diametro 5" x 0,625 mm, 1SP tipo P (drogato B), R:1-10 ohm-cm - SIBc125D0625C1R1US
MTI
- Cristallo singolo Si
- Conduttività: Tipo P (drogato B)
- Dimensioni: 5" di diametro x 0,625 mm
- Orientamento: (111)
- Resistività: 1-10 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) - Lucidatura: Un lato lucidato
- Rugosità della superficie: < 5A
- Imballaggio :
Opzionale: può essere necessario lo strumento sotto per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).