Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ non drogato, R> 5000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R:1-10 ohm.cm

MTI

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R:0,1-1,0 ohm.cm

MTI

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo N, drogato As, R<=0,005 ohm-cm

MTI

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R:1-10 ohm-cm - SIPc50D0279C1R1

MTI

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo N, drogato As, R<0,005 ohm-cm - SIAsc50D0279C1

MTI

Wafer Si (111) con 4 gradi di off, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: <0,01 ohm-cm

MTI

Wafer Si (111) con 4 gradi, spento, grado Prime, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm - SIAsc101D05C1deg4R0001

MTI

Wafer Si (111) con errore di taglio di 10° verso <112><110>, 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm) - SiUc101d05C1deg10R1000

MTI

Wafer Si (111) con taglio errato di 0+/-0,5 gradi, diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm

MTI

Wafer Si (111) 4 +/- 0,5 gradi off, 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,004-0,006 ohm-cm

MTI

Wafer Si (111) 3" dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm - SIBc76D05C1R1

MTI

Wafer Si (111) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, R> 10.000 ohm-cm - SIUc50D05C1R10000

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Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P, drogato B, R:1 - 10 ohm-cm - SIBc50D05C2R1

MTI

Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, drogato As, R:0,005-0,05 ohm.cm - SIAsc50D05C2R0005

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Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm-cm - SIBc50D05C1R1

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Wafer Si (111) diametro 2" x 0,28 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:0,1-10 ohm-cm - SIBc50D028C1R01

MTI

Wafer Si (111) diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm-cm - SIBc50D0279C1R1

MTI

Wafer Si (111) Ø 2" x 0,1 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm.cm - SIBc50D01C1R1US

MTI

Wafer Si (110), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm)