SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,3 mm, un lato lucidato

Specifiche del substrato

• Orientamento: <0001> ^±30?
• Orientamento dei bordi : <11-20>^±1°<10-10>^±1°
• Dimensioni: 2"+/-0,15mm x 0,3 +/-0,05mm
• Lucidatura: un lato lucidato
• Rugosità superficiale: < 5 A con AFM

Proprietà tipiche del SiC a cristallo singolo

• Peso della formula: 40,10
• Cella unitaria: esagonale
• Costante di Lattice: a =3,07 A c = 10,53 A
• Sequenza di impilamento: ABCB (4H)
• Tecnica di crescita: MOCVD 
• Lucidatura: superficie di silicio lucidata con EPI
•  Band Gap: 3,26eV (indiretto)
• Tipo di conducibilità: N
• TTV/Bow/Warp: <=35 um
• Densità dei microtubi: <=30 cm^-2
• Resistività: 0,015~0,5 ohm-cm
• Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conduttività termica a 300K: 4W / cm . K
• Durezza: 9 Mohs
• Livello di drogaggio degli atomi di azoto: 10^18-19 cm^-3

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