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SIBc152D0675C1R1US5
Wafer di Si (111), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-10 ohm-cm
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Wafer di Si (111), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-10 ohm-cm
MTI
- Wafer a cristallo singolo di silicio
- (111) orientamento
- Diametro 6" x 0,65 -0,7 mm
- Tipo P, drogato con boro
- Resistività: 1-10 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) -
Un lato lucidato
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per maneggiare il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).