MTI  |  SKU: SIUc101D05C1R10000

Wafer Si (111), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>10.000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R10000

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>10.000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R10000

MTI

Cristallo singolo Si 

  • Conduttività: Tipo N (non drogato)
  • Resistività: >10000 ohm-CM
  • Dimensioni: 4" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (111) 
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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