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GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp
€63,19Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€527,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€458,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)B, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,4 mm, 2sp
€366,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€343,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100), drogato con Zn, tipo P, 3 "x0,5 mm, 1sp
€458,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€342,70Prezzo unitario /Non disponibileMTI
GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 2sp - GASicB50D035C2US
€378,35Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€366,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€343,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Tipo P drogato Zn, 3 "x0,625 mm, 1sp
€457,70Prezzo unitario /Non disponibileMTI
Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolato non drogato, 100 mm D x 0,6 mm, 2SP
€458,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€297,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati 3 "D x0,5 mm, 1SP
€412,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
€228,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 100 mm D x0,6 mm, 1SP
€435,85Prezzo unitario /Non disponibileMTI
Orientamento GaAs VGF Grown(110), non drogato, semi-isolante, diametro 3" x 0,5 mm, 1sp
€378,35Prezzo unitario /Non disponibileMTI
GaAs VGF cresciuto (orientamento 110), non drogato, semi-isolante, 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1sp
€402,44Prezzo unitario /Non disponibileMTI
GaAs - orientamento VGF (110), drogato Zn, tipo P, diametro 3" x 0,5 mm, 2sp - GAZne76D05C2US5
€454,25Prezzo unitario /Non disponibileMTI
GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,35 mm, 2sp
€339,25Prezzo unitario /Non disponibile