MTI  |  SKU: GAZncB50D04C2US5

GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)B, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,4 mm, 2sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)B, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,4 mm, 2sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (111)B
  • Dimensioni: 2" dia x 0,4 mm 
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: Drogato con Zn
  • Tipo di conduttore: S-C-P
  • Resistività: (7,49-8,12)E-2 ohm.cm
  • Concentrazione del vettore: (3,70-4,01)E17cm^-3
  • Mobilità: (208-209) cm^2/V.S
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI

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