MTI  |  SKU: GAZncA50D05C2US5

GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)A, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

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GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)A, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

MTI

  •  Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (111)A
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm 
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: Drogato con Zn
  • Tipo di conduttore: S-C-P
  • Resistività: (6,82-7,58)E-3 ohm.cm
  • Concentrazione del portatore: (1,07-1,26)E19cm^-3
  • Mobilità: 73-77 cm^2/V.S
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI

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