Substrato di cristallo A-Z

MTI

GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp,cc: (1,65-3,92) x 10^18 /cm^3

MTI

GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B , SI, non drogato, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B , SI, non drogato, 100mm dia x 0,625 mm, 1 sp

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

MTI

Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

MTI

Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

MTI

FZ Wafer Si (111), diametro 2" x 0,275 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

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FZ Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

MTI

Templato FLAAT GaN (0001) (N+, drogato con Si) su zaffiro N+, 2 "x 15um, 1sp - FmGaNSionALc50D15C1US

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Fe:SrTiO3 (111) 10x10x0,5mm 1sp (Fe drogato 0,005 wt%) - STOFec101005S1

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Fe:Al2O3 (0001) 10x10x0,5mm 1sp (Fe drogato 0,05 -0,1% in peso)

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Fe: SrTiO3 (111) 5x5x0,5mm, 1sp, (drogato con Fe 0,005 wt %) - STOFec050505S1

MTI

Fe: SrTiO3 (110) 5x3x0,5mm, 1sp, (Fe drogato 0,01 wt %)

MTI

Fe: SrTiO3 (100) 5x5x0,5mm, 1sp, (Fe drogato 0,01 wt %)