MTI  |  SKU: GASie100503S2US

GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 10 x 5 x 0,35 mm 
  • Lucidatura: Due lati lucidati
  • Doping: Drogato con Si
  • Tipo di conduttore: S-C-N
  • Concentrazione di portatori: (2,4-3,27)x10E18/cm^3
  • Mobilità: 1630-1870 cm^2/V.S
  • Resistività :( 1,17-1,4)x10^-3 ohm.cm
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI


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