MTI  |  SKU: GAUa100D06C1US5

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 100 mm D x0,6 mm, 1SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 100 mm D x0,6 mm, 1SP

MTI

  • Wafer di cristallo singolo GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100)
  • Piatto: (01-1) .(011)
  • Dimensioni: 100 mm dia x 0,6 mm 
  • Lucidatura: un lato lucidato 
  • Ra (ruvidità media): < 0,4 nm
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: Semi-isolante
  • Resistività: (0,39-4,75)E8 Ohm.cm
  • Mobilità: 4120-6820 cm^2/v.s.
  • EPD: <5000/cm2
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI

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