MTI  |  SKU: GAZne76D05C2US5

GaAs - orientamento VGF (110), drogato Zn, tipo P, diametro 3" x 0,5 mm, 2sp - GAZne76D05C2US5

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GaAs - orientamento VGF (110), drogato Zn, tipo P, diametro 3" x 0,5 mm, 2sp - GAZne76D05C2US5

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 3" dia x 0,5 mm 
  • Lucidatura: Due lati lucidati
  • Doping: Drogato con Zn
  • Tipo di conduttore: Tipo P 
  • Concentrazione di portatori: (1,3-1,4)E19/cm^3
  • Mobilità: 71-74 cm^2/V.S
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Resistività: (6,1-6,6)x10^-3ohm.cm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI


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