Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100), drogato con Zn, tipo P, 3 "x0,5 mm, 1sp

Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita:  VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 3" dia x 0,5 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Drogato con Zn
Tipo di conduttore:  S-C-P
Concentrazione del vettore: (5,01-6,30) x 10^17 /cm^3
Mobilità: 184-200cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2

resistività: (5,14-6,67)x10^-2 ohm.cm
Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
Nota: Wafer pronti per l'EPI

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