Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 1-5 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 0,1-0,5ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP Resistività: 1-5 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP Resistività: 0,1-1,0 ohm.cm - GESbe50D05C1R01US

MTI

Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, R>50ohm.cm - GEUe101D05C2R50US

MTI

Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

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Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm - GEUe50D05C2R50US

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Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110) drogato Ga, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 0,1-0,5 ohm-cm - GEGae50D05C2R01US

MTI

Wafer Ge (110) drogato Ga, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP Resistività: 1-10 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (110) drogato Ga, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP Resistività: 0,1-1,1 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (110) Ø 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb) R:1-5 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110) Ø 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb) R:0,1-0,5ohm.cm

MTI

Wafer Ge (100) di tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm - GEUa25D05C2R50

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Wafer Ge (100)+/-1,5 gradi, non drogato, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) con piatto maggiore <110> 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) R:0,1-0,5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

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Wafer Ge (100) con piano (100) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb) Resistività: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

MTI

Wafer Ge (100) non drogato, diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm