Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 0,1-0,5ohm.cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (110) +/_0,5 Deg
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 500 micron 
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : Due lati lucidati otticamente < 30A
  
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,1-0,5ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                           
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000
   

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754 A
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640