Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Ge (100) non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, resistività: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

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Wafer Ge (100) Ø 2" x 1,0 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

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Ge tipo N drogato SB (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Ge (111), piatto (1-10), tipo N, drogato con Sb, 10x10x0,5 mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 2sp

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp - GSOe050505S1US

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GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 2sp

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GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

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GdScO3 (001)10x10x0,5mm 1sp - GSOb101005S1US

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GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3

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GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3

MTI

Wafer GaSb (111)-B, non drogato, tipo P 2 "x0,5 mm, 2sp

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Wafer GaSb (100), non drogato, 5x5x0,5 mm, 1sp

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Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm, lucidato su due lati - GSUa50D05C2US

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

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Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1

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GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3

MTI

Wafer GaP, drogato con Zn, (111)B, 2 "x0,45 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato Zn (111) 2 "x0,45 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, non drogato (111) 3 "x0,45 mm, 1sp