Wafer Ge (100) con piatto maggiore <110> 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) R:0,1-0,5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/- (0,21-0,25) gradi.
  Piano maggiore: <110> +/- (0,11-0,19) Deg.
  
• Dimensioni del wafer: 100 mm di diametro x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: un lato lucidato a caldo
• Rugosità superficiale: < 5 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,1-0,5 Ohm.cm (Se si desidera misurare la resistività in modo accurato, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• EPD: <500 /cm^2
• Confezione: camera bianca di classe 1000 

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640