Wafer Ge (110) Ø 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb) R:0,1-0,5ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (110) +/-0,5 gradi.
  Piano maggiore: <111>
  
• Dimensioni del wafer: 4" dia x 500 micron 
• Lucidatura di superficie: due lati lucidati a caldo
• Rugosità superficiale: < 30 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,1-0,5Ohms.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• EPD: <100 /cm^2
• Confezione: camera bianca di classe 1000 

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640