Wafer Ge (100) non drogato, diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/- 1,0 gradi.
• Dimensioni del wafer: diametro 4" x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
• Rugosità superficiale:  RMS o Ra: ~ 10 A (da AFM)
• Doping: Non drogato
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: >50 Ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                   
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche del cristallo di Ge

• Struttura:                       Cubica, a = 5,6754 A
• Densità:                          5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937.4 ^oC
• Conduttività termica:       640