Substrato di cristallo A-Z

MTI

InSb (100) 5 x 5 x 0,3 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucido

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucidato - ISUa50D05C1US

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, drogato con Te, tipo N, lucidato su 2 lati

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, tipo N Non drogato, 2 lati lucidati

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato lucidato - ISTea50D045C1US

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InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su un lato, concentrazione di portatori: (0,5-5,0)x10^17/cc - ISGea50D045C1US

MTI

InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 2 lati lucidati

MTI

InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucido

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su due lati

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato Ge, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,3 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

MTI

InP-VGF- (100) drogato S, wafer 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

MTI

InP-VGF cresciuto (111)B non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF cresciuto (111)B drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

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InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

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InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (111)A drogato Zn-, tipo P, wafer da 2 "x 0,35 mm, 1sp - IPZncA50D035C1US