MTI | SKU:
ISTea50D045C1US
InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato lucidato - ISTea50D045C1US
€1.863,00
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato lucidato - ISTea50D045C1US
MTI
Wafer InSb da 2" (tipo N, drogato con Te)
- Dimensioni: 2" dia x 0,45 (+/- 0,025 ) mm di spessore
- Orientamento: <100> +/-0.5 o
- Lucidatura: un lato lucidato
- Imballaggio: Sigillato in azoto in un contenitore per singolo wafer in una camera bianca di classe 100.
Proprietà
- Metodo di crescita LEC
- Orientazione (100) +/- 0.5 o
- Orientamento Piano Due piastre di riferimento a <100>
- Doping Te
- Tipo di conducibilità Tipo N
- Concentrazione del portatore (@77 K) (0,19-0,50)E18/cc @77K
Resistività (ohm-cm): 0.0005-0.001
Mobilità (cm^2/Vs) (@77K): ( 3,58-5,60 )E +4
EPD ( / cm^2) < 200