InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato Ge, 1 lato lucidato

Wafer di InSb da 10x10x0,45 mm (tipo P, drogato con Ge)

•  Dimensioni:                      10x10x0,45 mm
• Orientamento <100> +/-0,5^o  con due piastre di riferimento
•  Lucidatura:            uno
  lato lucidato (lato posteriore inciso)
• Imballaggio: Sigillato sotto azoto con un singolo wafer comtainer in camera bianca di classe 1000.

Caratteristiche

• Metodo di crescita                                                 LEC
• Orientazione                                                         (100)  +/- 0.5^o
• Orientamento Piano                                                                
• Doping  Ge drogato
• Tipo di conducibilità  P tipo
• Concentrazione del vettore                                     (0,05- 0,50)E17@77K

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