MTI  |  SKU: IPUcB50D035C1US

InP-VGF cresciuto (111)B non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF cresciuto (111)B non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

  • Wafer a cristallo singolo di InP
  • Orientamento: (111)B
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduzione: Tipo N, semiconduttore
  • Resistività: (2-5)E-1 ohm.cm
  • Concentrazione del portatore: (3,0-6,0)E15 /c.c.
  • Mobility:3900-4570cm^2/v.s
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • EPD: N/A
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI

 

 

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