InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, drogato con Te, tipo N, lucidato su 2 lati

Wafer di InSb da 2" (tipo N, drogato con Te)

• Dimensioni:                      2" dia x 0,5 (+/- 0,025 ) mm di spessore
• Orientamento: <100> +/-0.5 ^o
•  Lucidatura:   due lati lucidati
• Imballaggio: Sigillato in azoto in un contenitore per wafer singolo in una camera bianca di classe 100.

Proprietà

• Metodo di crescita   LEC
• Orientazione                                                         (100)  +/- 0.5 ^o
• Orientamento Piano                                                 Due piastre di riferimento a    <100>                
• Doping  Te
• Tipo di conducibilità                                               Tipo N
  
• Concentrazione del portatore (@77 K)                     (2-6)E17/cc @77K
  
  Mobilità (cm^2/Vs) (@77K): 3.9E 4  
  EPD ( / cm^2) < 200  
  
  
  

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