MTI  |  SKU: IPFecA50D035C1US

InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

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InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

MTI

  • Wafer a cristallo singolo di InP
  • Orientamento: (111)B
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
  • Doping: Drogato con Fe
  • Tipo di conduzione: Semi-isolante
  • Resistività: (1,91-5,02)E7 ohm.cm
  • Mobilità: 2230-2870 cm^2/v.s
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI

 

 

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