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ISUa50D05C2US
InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, tipo N Non drogato, 2 lati lucidati
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InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, tipo N Non drogato, 2 lati lucidati
MTI
Wafer InSb da 2" (tipo N, non drogato)
- Dimensioni: 2" dia x 0,5 (+/- 0,025 ) mm di spessore
- Orientamento: <100> +/-0.5 o
- Tipo/dopante: Tipo N/non drogato
- Superficie Lucidatura: In(A) faccia chimica lucidata, faccia finale
Fare clic qui per vedere quale lato è In (A) faccia
- Mobilità: > 3.9E4 /cm^2/V.S
- EPD: < 200
- Concentrazione del vettore: (2-7)E14 cm-3@77K
- Metodo di crescita: LEC
- Imballaggio: Sigillato in azoto in un contenitore per singolo wafer in camera bianca di classe 100.