SiC - 4H (0001)con 4 gradi di orientamento <11-20> /<10-10>, 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

Specifiche del substrato

• Orientamento: <0001> con 4 gradi di distanza verso l'esterno <11-20>
• Dimensioni: 10 x 10 x 0,33 +/-0,03 mm
• Lucidato: Un lato lucidato a specchio Si faccia
• Rugosità superficiale: < 10 A mediante AFM

Proprietà tipiche del SiC a cristallo singolo

• Peso della formula: 40,10
• Cella unitaria: esagonale
• Costante di Lattice: a =3,07 A c = 10,05 A
• Sequenza di impilamento: ABCB (4H)
• Tecnica di crescita: MOCVD
• Lucidatura: superficie di silicio lucidata
•  Band Gap: 3,26 eV (indiretto)
• Tipo di conducibilità: N
• TTV/Bow/Warp: <=35um
• Densità dei microtubi: <=30 cm^-2
• Resistività: 0,01~0,5 ohm-cm
• Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conduttività termica a 300K: 5 W / cm . K
• Durezza: 9 Mohs
• Livello di drogaggio degli atomi di azoto: 10^18-19 cm^-3

Altro SiC	GaN	AlN template	ZnO
Zaffiro	Sega per dadi	Contenitori per wafer	Rivestitore di film