SiC - 4H in asse <0001>+/- 0,5 gradi Diametro 4" x0,35 mm di spessore. Semi-isolante lucidato su due lati (lato Si lucidato con EPI)-1

Specifiche del substrato

• Orientamento: sull'asse <0001>+/- 0,5 gradi
• Dimensioni: 4" (+/-0,015'') Dx0,35mm (+/-25um)
• Lucidatura: due lati lucidati a specchio
• Rugosità superficiale: < 10 A by AFM
• Please click here to  identify the Si face from C of this double side polished wafers

 Typical Properties of Single Crystal SiC

• Formula weight: 40.10
• Unit Cell: Hexagonal
• Lattice constant: a =3.07 A c = 10.53 A
• Stacking sequence: ABCB (4H)       
•  Orientation: (0001)
• Polishing :Silicon face EPI- polished
•  Band Gap: 3.26eV ( Indirect)
• Conductivity type: Semi-insulating
• Resistivity: >1E5 ohm-cm
• TTV/Abbassamento/increspatura: <=25 um
• Densità dei microtubi: <=15 cm^-2
  
• Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conduttività termica :N/A
• Durezza: 9 Mohs
• Ra: <= 1nm
  

Prodotto correlato

Altro SiC	GaN	AlN template	ZnO
Zaffiro	Sega per dadi	Contenitori per wafer	Rivestitore di film