SiC - 6H (0001) diametro 8 mm x spessore 0,3 mm, un lato lucidato

Specifiche del substrato

• Orientamento: <0001> +/-0.5
• Dimensione: 8 mm Dia.x 0,3 mm
  
• Lucidato: Un lato epi lucidato
• Rugosità superficiale: < 10 A con AFM

Proprietà tipiche del SiC a cristallo singolo

• Peso della formula: 40,10
• Cella unitaria: esagonale
• Costante di Lattice: a =3,08 A c = 15,117 A
• Sequenza di impilamento: ABCACB (6H)
• Tecnica di crescita: MOCVD 
• Lucidatura: superficie di silicio lucidata
• Band Gap: 3,03eV (indiretto)
• Tipo di conducibilità: N
• TTV/Bow/Warp: <25um
• Densità dei microtubi: <30 cm^-2
• Resistività: 0,020~0,200 ohm-cm
• Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conduttività termica a 300K: 5 W / cm . K
• Durezza: 9 Mohs

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