MTI  |  SKU: SC4HZ050503S1US

SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm, un lato lucidato

MTI

Specifiche del substrato

  • Orientamento: <0001> +/-0.5
  • Dimensioni: 5x5 x 0,3 +/-0,03 mm
  • Lucidato: Lucidato su un lato Si faccia
  • Rugosità superficiale: < 10 A mediante AFM

Proprietà tipiche del SiC a cristallo singolo

  • Peso della formula: 40,10
  • Cella unitaria: esagonale
  • Costante di Lattice: a =3,07 A c = 10,05 A
  • Sequenza di impilamento: ABCB (4H)
  • Tecnica di crescita: MOCVD 
  • Lucidatura: superficie di silicio lucidata
  •  Band Gap: 3,26 eV (indiretto)
  • Tipo di conducibilità: N
  • TTV/Bow/Warp: <=35um
  • Densità dei microtubi: <=30 cm^-2
  • Resistività: 0,01~0,5 ohm-cm
  • Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
  • Conduttività termica a 300K: 4 W / cm . K
  • Durezza: 9 Mohs
  • Livello di drogaggio degli atomi di azoto: 10^18-19 cm^-3

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