SiC - 4H (0001), 5x5x0,33 mm, due lati lucidati

Specifiche del substrato

• Orientamento: <0001> +/-0.5
• Dimensioni: 5x5 x 0,33 +/-0,03 mm
• Lucidato: Due lati lucidati a specchio  
• Rugosità superficiale: < 10 A con AFM

Proprietà tipiche del SiC a cristallo singolo

• Peso della formula: 40,10
• Cella unitaria: esagonale
• Costante di Lattice: a =3,07 A c = 10,05 A
• Sequenza di impilamento: ABCB (4H)
• Tecnica di crescita: MOCVD 
• Lucidatura: superficie di silicio lucidata
•  Band Gap: 3,26 eV (indiretto)
• Tipo di conducibilità: N
• TTV/Bow/Warp: <=35um
• Densità dei microtubi: <=30 cm^-2
• Resistività: 0,01~0,5 ohm-cm
• Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conduttività termica a 300K: 4 W / cm . K
• Durezza: 9 Mohs

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