MTI

MTI

Wafer Ge (100) +/- 0,7 gradi 2" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), R:>40 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/- 1 grado, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-0,5 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/- 2,5 gradi non drogati, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, resistività: >50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/-0,7 Grado 2" dia x 0,45 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), R:>40 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,45 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb), resistività: 2,5-2,7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

MTI

Wafer Ge (100) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,01-0,1ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), Resistività: 1-5 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 10-20 ohm-cm - GEsba50D05C2R10US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 1,0 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

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Wafer Ge (100) non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, resistività: >50 ohm-cm - GEUa50D05C1R50US

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Wafer Ge (100) non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, resistività: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

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Wafer Ge (100) non drogato, diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm

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Wafer Ge (100) con piano (100) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb) Resistività: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

MTI

Wafer Ge (100) con piatto maggiore <110> 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) R:0,1-0,5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

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Wafer Ge (100)+/-1,5 gradi, non drogato, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

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Wafer Ge (100) di tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm - GEUa25D05C2R50