MTI

MTI

Wafer Ge (111) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) con resistività: 0,014-0,022 Ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) Ø 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb) con resistività: 0,014-0,022 Ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (111) non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (111) con taglio di 9,45 gradi, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-0,5ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111)+/-1,5 gradi, non drogato, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (211) tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 1SP, resistività: >45 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (211) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 2SP, resistività: > 45 ohm.cm

MTI

Wafer Ge, tipo N non drogato (100) diametro 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge - tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

MTI

Wafer Ge non drogato (100) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucido resistività: >50 ohm-cm - GEUa76D05C1R50US

MTI

Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucidato resistività: >50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge(100) . 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:1,4-1,7 ohm.cm

MTI

Wafer Ge(100). 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga) R: 0,004-0,01ohm.cm - GEGaa100D05C2BeR0004US

MTI

Wafer Ge(111) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP R >50 Ohm.cm - GEUc50D05C2R50US

MTI

Tubo di quarzo GE214: 10" OD x 9,6" ID x 40" L per forni tubolari fai da te - QZTube-10-1020

MTI

Riduttore e supporto per contenitore per MSK-SFM-3 MTI-SFM3-Corridore

MTI

Spray lubrificante PTFE secco per usi generici - PTFE3044

MTI

GGG (111), 10x10x0,5mm, 2sp - GGGc101005S2