Wafer Ge (100) con piano (100) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb) Resistività: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/-0,5 gradi.
  Piatto: <100>
• Dimensioni del wafer: 4" dia x 500 micron 
• Lucidatura di superficie: un lato lucidato a caldo
• Rugosità superficiale:  RMS o Ra: ~ 10 A (da AFM)
• Doping: Drogato Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,1-0,5 Ohm/cm       
• Confezione: camera bianca di classe 1000 

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754Å
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640