Wafer Ge (100) Ø 2" x 1,0 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/-0,5 gradi.
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 1000 micron 
• Lucidatura della superficie: un lato lucidato a caldo
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,02 Ohm/cm
• EPD:
• Confezione: camera bianca di classe 1000 

Proprietà tipiche:

• Struttura:                        Cubica, a = 5,6754 Å

• Densità:                          5,323 g/cm3 a temperatura ambiente

• Punto di fusione:                  937.4 ^oC

• Conduttività termica:       640